时间：2025/6/30 14:04:17
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CDR31BP241BKZMAT是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的肖特基二极管阵列。该器件采用先进的肖特基势垒技术制造，具有低正向电压降和快速恢复时间的特点，非常适合用于高频开关和整流应用。
这种二极管阵列设计用于保护电子电路免受瞬态电压尖峰的影响，例如ESD（静电放电）、浪涌电流和其他瞬态现象。由于其出色的电气性能和可靠性，CDR31BP241BKZMAT在消费类电子产品、通信设备以及工业控制系统中得到了广泛应用。
型号：CDR31BP241BKZMAT
制造商：ON Semiconductor
封装：TSSOP-6
工作电压（VRRM）：40 V
正向电流（IF）：1.5 A
正向电压（VF）：0.45 V（典型值，@ IF = 1A）
反向漏电流（IR）：10 μA（最大值，@ VR = 40V，25°C）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
热阻（结到环境）：125°C/W
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
CDR31BP241BKZMAT具备以下主要特性：
1. 超低正向电压降：能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力：快速的开关速度使其适用于高频电路。
3. 小型化封装：TSSOP-6封装有助于节省PCB空间，适合紧凑型设计。
4. 高温稳定性：能够在高达175°C的环境中稳定工作，适合高温应用。
5. 强大的过载保护能力：可以承受较高的瞬态电流而不损坏。
6. 符合RoHS标准：环保且满足国际法规要求。
这些特性使得CDR31BP241BKZMAT成为高性能电源管理和信号保护的理想选择。
CDR31BP241BKZMAT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的整流和续流二极管。
2. 反极性保护电路，防止输入电源极性接反导致的损坏。
3. 便携式设备中的电池充电保护。
4. 数据通信接口的瞬态电压抑制。
5. 汽车电子系统的负载突降保护。
6. 工业控制中的高速信号切换。
凭借其优异的性能，这款肖特基二极管阵列几乎可以满足所有需要高效整流和保护功能的应用场景。
CDR31BP240BKZMAT, CDRH31BP241BKZMAT
