时间：2025/6/19 11:20:56
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CDR31BP241BFZMAT 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的功率 MOSFET，采用 N 沟道增强型设计。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景中。其高效率和低导通电阻特性使其成为高性能功率管理的理想选择。
这款芯片以 TO-263-3 封装形式提供，支持表面贴装技术 (SMD)，便于自动化生产和紧凑型设计。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：7.6A
导通电阻（典型值）：28mΩ
栅极电荷：10nC
开关速度：快速
封装类型：TO-263-3
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
CDR31BP241BFZMAT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高击穿电压 (V(BR)DSS)，确保在各种复杂电路中的稳定性。
3. 快速开关能力，适用于高频应用场合。
4. 栅极电荷较低，可减少驱动损耗并提高整体性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备的需求。
6. 可靠性高，具备出色的热特性和电气稳定性。
该功率 MOSFET 适合于多种工业和消费类电子应用：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关或同步整流元件。
2. 用于直流电机控制的 H 桥和半桥配置。
3. 各种 DC-DC 转换器拓扑结构，如降压、升压和反激式转换器。
4. 电池保护与管理系统中的负载切换。
5. LED 驱动器及照明解决方案中的关键组件。
6. 家用电器、汽车电子和通信设备中的功率管理模块。
CDR31BP241BFZMA, CDR31BP241BFZMAT1, FDP2410N
