时间：2025/5/21 8:44:05
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CDR31BP240BFZPAT 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型技术设计。该器件适用于需要高效率、低导通电阻以及快速开关性能的应用场合。它通常用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用中，能够有效降低功耗并提升系统的整体性能。
这款芯片具有出色的热稳定性和耐受性，能够在高温环境下长时间工作而不影响其性能表现。同时，由于采用了先进的封装工艺，使其具备更小的体积和更高的集成度，非常适合现代电子设备对紧凑型设计的需求。
最大漏源电压：240V
连续漏极电流：8.9A
导通电阻（典型值）：0.35Ω
栅极电荷：27nC
总电容：360pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 超低导通电阻设计，有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 内置静电放电（ESD）保护功能，提升了器件的抗干扰能力。
5. 紧凑型封装设计，节省了PCB空间，便于小型化应用。
6. 广泛的工作温度范围，适应多种恶劣环境。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动控制
3. DC-DC转换器
4. 电池管理系统（BMS）
5. 逆变器及不间断电源（UPS）
6. 各种负载开关应用
CDR31BP240BFZPAJ, CDR31BP240BFZPAS, IRFZ44N
