时间：2025/6/11 13:23:21
阅读：6
CDR31BP221BKZMAT是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型设计。该芯片主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景中。其卓越的导通电阻和快速开关特性使其成为高效能电力电子设备的理想选择。
该器件采用TO-263-3（DPAK）封装形式，具有出色的散热性能，并且能够承受较高的电流负载。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：47nC
输入电容：2940pF
工作温度范围：-55℃ to +175℃
热阻（结到壳）：2℃/W
CDR31BP221BKZMAT拥有低导通电阻和低栅极电荷的特点，从而显著减少了传导损耗和开关损耗。此外，该器件具备高雪崩能量能力，增强了系统在异常情况下的可靠性。
它的TO-263封装结构紧凑，适合表面贴装技术（SMT），可以提高生产效率并降低制造成本。
该芯片还支持快速开关操作，非常适合需要高频工作的应用环境。同时，它经过严格的筛选和测试，确保在极端温度条件下的稳定性和长期使用寿命。
CDR31BP221BKZMAT广泛应用于各种功率转换领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动电路
3. DC-DC转换器
4. 电动工具和家用电器中的功率管理模块
5. 工业自动化控制中的负载切换
由于其高性能表现，这款MOSFET特别适合要求高效率、高可靠性的应用场景。
CDR31BP220BKZMAT
IRF2807PBF
FDP16N60
STP40NF06L
