时间：2025/6/14 10:37:24
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CDR31BP221BKUS7185 是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。该器件适用于需要高效功率转换的各种应用场合，例如开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等。其封装形式为TO-220，便于散热和安装，同时具备较高的电流处理能力。
该型号通常被用于工业及汽车电子领域中，提供稳定的功率输出与控制功能，确保系统在复杂环境下的可靠运行。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
持续漏极电流Id：31A
导通电阻Rds(on)：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
功耗Pd：185W
工作温度范围Tj：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-220
CDR31BP221BKUS7185 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够显著降低导通损耗并提高效率。
2. 高电流承载能力，支持高达31A的持续漏极电流。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗，适合高频应用。
4. 出色的热稳定性，最高结温可达175℃，适应恶劣的工作条件。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠性高。
6. 具备ESD保护设计，增强抗静电能力。
这些特性使该器件成为高效率功率转换电路的理想选择，尤其在要求紧凑设计和高效能的场景中表现突出。
CDR31BP221BKUS7185 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
4. 汽车电子系统的负载切换和电池管理。
5. LED驱动器中用作功率开关。
6. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
由于其强大的电流处理能力和高效率，该器件非常适合需要大功率输出的应用场景。
CDR31BP221BKUS7175, IRFZ44N, FDP55N06L
