时间：2025/6/28 12:29:02
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CDR31BP201BJZRAT 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用增强型 GaN HEMT 结构，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源、无线充电器以及电机驱动等应用场景。
该芯片采用了先进的封装技术，确保了出色的散热性能和电气稳定性。同时，其内置的保护机制（如过流保护和热关断）提升了系统的可靠性和安全性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻：18mΩ
栅极电荷：75nC
反向恢复时间：9ns
工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
封装形式：TO-247-3
1. 高击穿电压和低导通电阻的设计使其能够在高功率密度应用中实现卓越的能效表现。
2. 快速开关速度显著降低了开关损耗，从而提高了系统整体效率。
3. 内置保护功能增强了器件在极端条件下的稳定性和寿命。
4. 氮化镓材料的使用使得器件能够承受更高的工作温度，并具备更小的尺寸和重量优势。
5. 封装形式兼容传统 MOSFET，便于客户进行升级替换或新设计开发。
CDR31BP201BJZRAT 广泛应用于多种高功率密度场景，包括但不限于以下领域：
1. 工业级 DC-DC 转换器
2. 高效 AC-DC 开关电源
3. 电动汽车充电设备
4. 数据中心电源模块
5. 高频逆变器及电机驱动电路
6. 消费电子中的无线充电装置
其高性能特点特别适合需要高频运行和高效率转换的应用环境。
CDR31BP201AJZRAT, CDR31BP201CJZRAT
