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CDR31BP200BKZRAT 发布时间 时间:2025/7/4 19:07:38 查看 阅读:10

CDR31BP200BKZRAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高电压、大电流的开关场景。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有较低的导通电阻和较高的击穿电压,适用于工业电源、电机驱动以及电动汽车等应用领域。其封装形式为TO-247-3L,能够提供出色的散热性能。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:200A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:180nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

CDR31BP200BKZRAT具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低功率损耗。
  2. 高击穿电压(Vds),确保在高压环境下稳定运行。
  3. 快速开关能力,适合高频应用场合。
  4. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常工作。
  5. 优化的栅极驱动设计,减少开关损耗并提高效率。
  6. 强大的抗雪崩能力,提升系统的可靠性和耐用性。

应用

该芯片广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 工业级电源转换器。
  2. 大功率电机驱动系统。
  3. 新能源汽车中的逆变器模块。
  4. 不间断电源(UPS)系统。
  5. 光伏逆变器及其他可再生能源解决方案。
  6. 高效DC-DC转换器。

替代型号

CDR31BP150BKZRAT, IRFP260N, STP200N65KF

CDR31BP200BKZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容20 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"(1.30mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-