时间：2025/7/4 19:07:38
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CDR31BP200BKZRAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高电压、大电流的开关场景。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适用于工业电源、电机驱动以及电动汽车等应用领域。其封装形式为TO-247-3L，能够提供出色的散热性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：200A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：180nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
CDR31BP200BKZRAT具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低功率损耗。
2. 高击穿电压（Vds），确保在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关能力，适合高频应用场合。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下正常工作。
5. 优化的栅极驱动设计，减少开关损耗并提高效率。
6. 强大的抗雪崩能力，提升系统的可靠性和耐用性。
该芯片广泛应用于多种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 工业级电源转换器。
2. 大功率电机驱动系统。
3. 新能源汽车中的逆变器模块。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 光伏逆变器及其他可再生能源解决方案。
6. 高效DC-DC转换器。
CDR31BP150BKZRAT, IRFP260N, STP200N65KF
