时间：2025/6/28 12:28:03
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CDR31BP161BJZPAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率开关电源、电机驱动以及负载切换等场景。该芯片采用了先进的制程工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低能耗并提升系统性能。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计优化了热性能和电气性能，适用于各种工业及消费类电子设备中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：32A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1290pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
CDR31BP161BJZPAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，支持高频应用场合。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
5. 优秀的热稳定性，即使在极端温度环境下也能保持可靠运行。
6. 具备出色的电流承载能力和较低的热阻，适合大功率应用场景。
这些特性使得该器件成为许多高效能电力转换解决方案的理想选择。
CDR31BP161BJZPAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 电信和网络设备的电源管理。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
5. 电动车辆（EV）和混合动力汽车（HEV）的电池管理系统（BMS）。
6. 各种需要高效率、大电流处理能力的电子装置。
凭借其卓越的性能指标，CDR31BP161BJZPAT 在众多高要求的应用中表现出色。
CDR31BP160BJZPAT, IRF3205, SI4820DY
