时间：2025/6/23 13:41:40
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CDR31BP161BFZPAT 是一款基于 MOSFET 技术的高可靠性功率晶体管，广泛应用于工业和汽车电子领域。该器件采用了先进的封装技术以提升散热性能和电气特性，能够承受较高的电压和电流，同时保持较低的导通电阻。
这款晶体管特别适合需要高效率、低功耗的应用场景，例如开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等。其出色的热稳定性和电气性能使其成为高性能系统设计的理想选择。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：16A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：28nC
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装类型：TO-247
CDR31BP161BFZPAT 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，可承受高达 650V 的漏源电压，适用于高压应用环境。
2. 支持大电流操作，连续漏极电流可达 16A，满足高功率需求。
3. 极低的导通电阻 (0.18Ω)，显著降低传导损耗，提高整体效率。
4. 优化的栅极电荷设计，减少开关损耗，提升动态性能。
5. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 175℃)，适应各种极端环境条件。
6. TO-247 封装提供良好的散热性能，支持更高的功率密度。
7. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
CDR31BP161BFZPAT 广泛用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器中的功率控制元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 汽车电子系统，如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. 其他需要高效率和高可靠性的电力电子应用。
CDR31BP160BFZPAT, CDR31BP150BFZPAT
