时间：2025/7/4 19:06:38
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CDR31BP151BKZMAT 是一款基于 MOSFET 技术的功率半导体器件，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效率功率转换的应用场景。该器件采用了先进的封装技术以提高散热性能和电气性能，同时具备低导通电阻和快速开关速度的特点，适合在高频工作条件下使用。
这款芯片属于功率场效应晶体管 (Power MOSFET) 系列，通常用于直流到直流转换器 (DC-DC converters) 和脉宽调制 (PWM) 控制电路中，能够有效降低能量损耗并提升系统整体效率。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：60V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：140A
导通电阻(R_DS(on))：1.5mΩ
总功耗(P_TOT)：190W
结温范围(T_J)：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-247-3L
CDR31BP151BKZMAT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（R_DS(on)），可以显著减少导通状态下的功率损耗。
2. 快速开关速度，支持高频应用，从而减小滤波元件的体积。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
4. 采用 TO-247-3L 封装，具有良好的热传导性能，便于散热设计。
5. 支持高达 140A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
6. 工作结温范围宽广（-55℃ 到 175℃），适应各种严苛环境。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
2. 电动车辆 (EV/HEV) 的牵引逆变器和车载充电器。
3. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
4. 太阳能逆变器及不间断电源 (UPS) 系统。
5. 高效 DC-DC 转换器设计。
6. 大功率 LED 驱动器和其他电力电子设备。
CDR31BP150BKZMAT, IRF840, FDP5500
