时间：2025/5/31 1:55:23
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CDR31BP131BKZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于高效率电源转换、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的封装技术，能够提供出色的热性能和电气性能，同时支持高频开关操作以减少系统损耗。
其内部结构经过优化设计，能够在高电压条件下保持稳定运行，并具备低导通电阻特性，从而提高整体系统效率。
最大漏源电压：1700V
连续漏极电流：15A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：120nC
总电容：35pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：D2PAK
CDR31BP131BKZMAT 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用场景，例如电动汽车充电设备和太阳能逆变器。
2. 低导通电阻确保在大电流应用中降低功耗。
3. 快速开关速度和低栅极电荷有助于减少开关损耗，提升效率。
4. 碳化硅材料提供卓越的高温稳定性，适用于严苛环境。
5. 封装形式具备良好的散热性能，便于集成到紧凑型设计中。
6. 工作温度范围宽广，满足极端条件下的使用需求。
该功率 MOSFET 广泛应用于多种高性能电力电子设备中，包括但不限于：
1. 电动车车载充电器 (OBC) 和 DC/DC 转换器。
2. 太阳能光伏并网逆变器及储能系统。
3. 不间断电源 (UPS) 和服务器电源。
4. 工业电机驱动和变频控制器。
5. 高频软开关电路，如 LLC 或谐振变换器。
6. 智能电网相关基础设施中的功率调节装置。
CDR31BP131BKZMA, CDR31BP131BKZM, STGHB131DF2P, FGH15N1700SMD
