时间：2025/6/10 17:37:28
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CDR31BP130BFZSAT是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率器件，广泛应用于高效率电源转换和逆变器领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适用于要求严苛的工业和汽车级应用。其封装形式为表面贴装型，便于自动化生产和散热管理。
该型号是专为高压和高频工作场景设计的功率半导体，能够在高温环境下保持稳定的电气特性，同时具备较高的抗浪涌能力，有助于提升系统的可靠性和效率。
最大漏源电压：1700V
连续漏极电流：15A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：95nC
反向恢复时间：40ns
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：D2PAK-7L
CDR31BP130BFZSAT采用了先进的碳化硅材料制造工艺，相较于传统的硅基功率器件，具有显著的优势。首先，它的导通电阻较低，可有效降低传导损耗，从而提高系统效率。
其次，该器件的开关速度较快，能够支持更高的工作频率，减少磁性元件的体积和重量，非常适合紧凑型设计需求。
此外，它具备出色的热性能，在高温环境下依然可以保持稳定的电气参数，减少了对额外散热措施的依赖。其坚固的设计还使其能够承受较大的浪涌电流，增强了系统的鲁棒性。
最后，表面贴装封装形式简化了生产工艺，提升了装配良率，同时也方便进行高效的热管理和电磁兼容优化。
CDR31BP130BFZSAT适用于多种高压高频的应用场景，包括但不限于太阳能逆变器、电动汽车充电装置、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及工业电源等。在这些应用中，该器件的高效能和高可靠性能够帮助实现更小的系统尺寸、更低的能耗以及更长的使用寿命。
例如，在太阳能逆变器中，该器件可以用于DC-AC转换级，以提高能量转换效率并减少热量产生。在电动汽车充电站中，它可以用作主功率开关，支持快速充电功能的同时保证系统的稳定性。而在电机驱动器中，其快速开关特性和低损耗特点使得控制更加精确且响应更快。
CDR31AP130BFZSAT
CDR31CP130BFZSAT
CDR31DP130BFZSAT
