时间：2025/5/31 0:59:00
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CDR31BP111BKZRAT 是一款高性能的碳化硅 (SiC) MOSFET，专为高电压和高频应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能，非常适合用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及其他需要高效能量转换的应用场景。
碳化硅材料的使用使得 CDR31BP111BKZRAT 在高温环境下仍能保持出色的稳定性和可靠性，同时其紧凑的封装形式有助于减少整体解决方案的体积和重量。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：65mΩ
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
输入电容：980pF
反向恢复时间：60ns
工作结温范围：-55℃~175℃
封装形式：TO-247-4L
CDR31BP111BKZRAT 的主要特性包括：
1. 高耐压能力，最大漏源电压高达 1200V，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)），在额定电流下可有效降低传导损耗。
3. 快速开关特性，支持高频操作，有助于减小无源元件尺寸。
4. 碳化硅技术带来的卓越热性能，能够承受更高的结温和温度变化。
5. 四引脚 TO-247 封装，分离开栅极驱动回路与主功率回路，减少寄生电感影响。
6. 具备强大的短路保护能力，提高系统可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
CDR31BP111BKZRAT 广泛应用于以下领域：
1. 工业电源，如不间断电源 (UPS) 和焊接设备。
2. 太阳能逆变器，用于高效能量转换。
3. 电动汽车充电基础设施，包括直流快充桩。
4. 电机驱动系统，特别是在需要高效率和高功率密度的情况下。
5. 高频 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
6. 任何需要在高压、高频条件下工作的电力电子设备。
CDR31BP111DKZRAT, C2M0075120D, FFNH15T12MD1
