时间：2025/6/19 17:02:11
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CDR31BP110BKZPAT是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。该器件属于N沟道增强型功率MOSFET，专为高电压应用设计，例如开关电源、电机驱动器和DC-DC转换器。其出色的电气性能和可靠性使其成为许多工业和汽车应用的理想选择。
该型号具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压：1100V
最大连续漏极电流：1.6A
导通电阻（典型值）：14Ω
栅极电荷（典型值）：7nC
总功耗：250mW
工作温度范围：-55℃至+175℃
CDR31BP110BKZPAT采用TO-252封装，具备以下主要特性：
1. 高耐压能力，适合高压环境下的电路设计。
2. 低导通电阻确保较低的传导损耗，从而提升整体效率。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 良好的热稳定性和鲁棒性，适用于严苛的工作条件。
此外，该器件还支持高温操作，并具备较强的抗雪崩能力，能有效保护电路免受异常瞬态电流的影响。
CDR31BP110BKZPAT广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）和反激式转换器。
2. LED照明驱动电路。
3. 工业电机控制和变频器。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 汽车电子设备中的电源管理和负载切换。
6. 各种高压脉冲发生器及信号处理电路。
由于其出色的电气特性和耐用性，该MOSFET在需要高可靠性和高效能的应用中表现尤为突出。
CDR31BP110BQZPAT, FDP12U50N, IRFR3202
