时间：2025/5/24 17:42:16
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CDR31BP101BKUR 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频、高效能应用设计。该器件采用增强型结构，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于高频功率转换器、射频放大器以及电信和工业应用中的电源管理。
CDR31BP101BKUR 的封装形式为表面贴装类型，能够提供优异的散热性能和可靠性，同时其紧凑的设计使其非常适合空间受限的应用场景。
额定电压：100V
额定电流：10A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：25nC
最大工作结温：175℃
封装类型：TO-263
CDR31BP101BKUR 的主要特性包括：
1. 高效率：得益于 GaN 材料的高电子迁移率，该器件在高频开关条件下仍能保持较高的效率。
2. 快速开关：具备较低的开关损耗，可显著减少能量损失。
3. 紧凑设计：其封装尺寸小，有助于简化 PCB 布局并降低系统复杂度。
4. 高可靠性：通过优化的制造工艺，器件能够在恶劣环境下长期稳定运行。
5. 低热阻：良好的散热性能确保器件在高功率应用中维持较低的工作温度。
CDR31BP101BKUR 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器：
- 用于服务器、通信设备等的高效电源模块。
2. 射频功率放大器：
- 在无线通信基础设施中提供高性能的信号放大。
3. 工业电机驱动：
- 实现更高效的电力传输和控制。
4. 太阳能逆变器：
- 提供高效率的能量转换以优化太阳能发电系统的性能。
5. 消费电子产品：
- 如快充适配器，利用其高频特性实现小型化和高效化设计。
CDR31BP100BKUR
IRF3710
FDP155N10ASL
