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CDR04BP272BJZPAT 发布时间 时间:2025/5/23 15:12:45 查看 阅读:18

CDR04BP272BJZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,适合在高频和大电流环境下工作。
  这款功率MOSFET具有N沟道增强型结构,能够提供出色的开关性能和较低的功耗,从而有效提升系统的整体效率。其封装形式通常为表面贴装类型,方便进行自动化生产和散热管理。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:2.7mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:ton=12ns, toff=9ns
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 低导通电阻(Rds(on))设计,可显著降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,适用于高频电路应用。
  3. 强大的雪崩耐量能力,确保在异常条件下仍能稳定工作。
  4. 小尺寸封装,支持高效的PCB布局和散热管理。
  5. 具备出色的热稳定性和可靠性,满足工业级及汽车级应用需求。
  6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。

应用

1. 开关电源适配器和充电器中的同步整流。
  2. 工业设备中的电机控制与驱动。
  3. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
  4. 通信电源和不间断电源(UPS)中的功率转换。
  5. 大功率LED照明驱动电路。
  6. 各类消费类电子产品中的高效功率管理模块。

替代型号

CDR04BP272BJZPBT, CDR04BP272AJZPAT

CDR04BP272BJZPAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR04
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容2700 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率P(0.1%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.180" 长 x 0.126" 宽(4.57mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.080"(2.03mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-