CDR04BP272BJZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高效率的特点,适合在高频和大电流环境下工作。
这款功率MOSFET具有N沟道增强型结构,能够提供出色的开关性能和较低的功耗,从而有效提升系统的整体效率。其封装形式通常为表面贴装类型,方便进行自动化生产和散热管理。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:18A
导通电阻:2.7mΩ
栅极电荷:35nC
开关时间:ton=12ns, toff=9ns
工作温度范围:-55℃至150℃
1. 低导通电阻(Rds(on))设计,可显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能,适用于高频电路应用。
3. 强大的雪崩耐量能力,确保在异常条件下仍能稳定工作。
4. 小尺寸封装,支持高效的PCB布局和散热管理。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性,满足工业级及汽车级应用需求。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
1. 开关电源适配器和充电器中的同步整流。
2. 工业设备中的电机控制与驱动。
3. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
4. 通信电源和不间断电源(UPS)中的功率转换。
5. 大功率LED照明驱动电路。
6. 各类消费类电子产品中的高效功率管理模块。
CDR04BP272BJZPBT, CDR04BP272AJZPAT