时间：2025/5/23 15:12:45
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CDR04BP272BJZPAT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，适合在高频和大电流环境下工作。
这款功率MOSFET具有N沟道增强型结构，能够提供出色的开关性能和较低的功耗，从而有效提升系统的整体效率。其封装形式通常为表面贴装类型，方便进行自动化生产和散热管理。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.7mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：ton=12ns, toff=9ns
工作温度范围：-55℃至150℃
1. 低导通电阻（Rds(on)）设计，可显著降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频电路应用。
3. 强大的雪崩耐量能力，确保在异常条件下仍能稳定工作。
4. 小尺寸封装，支持高效的PCB布局和散热管理。
5. 具备出色的热稳定性和可靠性，满足工业级及汽车级应用需求。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
1. 开关电源适配器和充电器中的同步整流。
2. 工业设备中的电机控制与驱动。
3. 汽车电子系统的负载开关和保护电路。
4. 通信电源和不间断电源（UPS）中的功率转换。
5. 大功率LED照明驱动电路。
6. 各类消费类电子产品中的高效功率管理模块。
CDR04BP272BJZPBT, CDR04BP272AJZPAT
