时间：2025/6/12 6:34:30
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CDR03BX153BMZRAT 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的功率 MOSFET 芯片，采用沟槽式结构设计，具有极低的导通电阻和高开关速度。该器件适用于各种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等领域。
这款芯片通过优化栅极电荷和导通电阻之间的权衡，能够显著降低功耗并提升系统效率。此外，其坚固的设计确保了在严苛工作条件下的稳定性和可靠性。
类型：N沟道 MOSFET
额定电压：30V
额定电流：79A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：42nC
连续漏极电流：79A
最大结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 1.5mΩ，从而降低了传导损耗，提升了整体效率。
2. 高额定电流能力（79A），使其非常适合大电流应用场景。
3. 快速开关性能，得益于较低的栅极电荷（Qg=42nC）。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），适应极端环境条件。
5. 符合 AEC-Q101 标准，保证了汽车级应用中的可靠性。
6. 具备优异的雪崩耐量能力，增强鲁棒性。
7. TO-263-3 封装形式，易于安装且散热性能优越。
1. 汽车电子领域中的 DC-DC 转换器与电机驱动。
2. 工业设备中的开关电源及负载开关。
3. 大功率 LED 驱动电路。
4. 通信基础设施中的功率调节模块。
5. 笔记本电脑适配器和其他消费类电子产品中的高效能电源管理单元。
CDR03BX153BMSBAT, CDR03BX153BMZRA
