时间：2025/5/31 0:52:30
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CDR03BX153BKZMAT是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的高压MOSFET功率晶体管，基于先进的半导体工艺制造。该器件适用于需要高效率和快速开关的电力电子应用，例如开关电源、电机驱动器和DC-DC转换器等。它采用TO-247封装形式，能够提供出色的散热性能以满足高功率应用场景的需求。
该型号是专门针对工业和汽车领域设计的，具有高可靠性、低导通电阻以及优异的热稳定性。其主要特点是能够承受较高的电压和电流，并在高频条件下保持高效工作。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：3.9A
导通电阻：0.8Ω
栅极电荷：18nC
最大功耗：15W
工作温度范围：-55℃至175℃
CDR03BX153BKZMAT具备以下关键特性：
1. 高击穿电压能力，可承受高达650V的工作电压，适用于高压系统。
2. 超低导通电阻，在保证性能的同时减少功率损耗。
3. 快速开关速度，优化了动态性能并减少了开关损耗。
4. 强大的散热性能，通过TO-247封装形式实现高效的热量散发。
5. 宽泛的工作温度范围，从低温-55℃到高温175℃均能稳定运行，非常适合极端环境下的应用。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅设计。
7. 高可靠性，经过严格测试，适合长期运行的关键性任务场景。
CDR03BX153BKZMAT广泛应用于各种高要求的电力电子设备中，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS），用于提升能源转换效率。
2. DC-DC转换器，特别是隔离式转换器。
3. 电机驱动器，控制各类工业和家用电机。
4. 光伏逆变器，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
5. 电动汽车中的牵引逆变器和其他相关模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
7. UPS不间断电源系统，确保电力供应的稳定性。
CDR03BX153BKMAT, CDR03BX153BKTG
