时间：2025/7/4 19:02:05
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CDR03BP331BJZPAT是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的功率MOSFET芯片，主要用于高效率的电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
型号：CDR03BP331BJZPAT
类型：N沟道功率MOSFET
封装形式：TO-263 (DPAK)
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：3.3mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：80A
Qg（栅极电荷）：45nC
fsw（最大工作频率）：500kHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
CDR03BP331BJZPAT采用领先的功率MOSFET技术，具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，仅为3.3mΩ（典型值），从而有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关性能，栅极电荷仅45nC，适用于高频应用环境。
3. 高额定电流能力，可承受高达80A的连续漏极电流，适合大功率应用场景。
4. 宽泛的工作温度范围，从-55℃到+175℃，确保在极端环境下仍能保持稳定运行。
5. 封装为标准TO-263（DPAK），便于安装和散热设计。
6. 具备优越的热性能和电气稳定性，适用于各种工业和消费类电子产品中的高效功率转换需求。
CDR03BP331BJZPAT因其卓越的性能和可靠性，被广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）的设计，如适配器、充电器等。
2. 各类DC-DC转换器，包括降压、升压及升降压拓扑结构。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 新能源汽车电子系统的功率管理模块。
这些应用场合都得益于其低导通损耗、快速开关特性和强大的电流承载能力。
CDR03BP331BKTAT, CDR03BP331BK33TAT
