型号：CDR01BX271BKUS7185
　　类型：N-Channel MOSFET
　　封装：TO-220AC
　　漏源极击穿电压(Vds)：700V
　　连续漏极电流(Id)：3.6A
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：4V
　　导通电阻(Rds(on))：3.5Ω
　　总功耗(Ptot)：95W
　　工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +175°C

CDR01BX271BKUS7185 是一款高性能的 N 沘道功率 MOSFET，具有以下特点：
　　1. 高耐压能力：漏源极击穿电压高达 700V，适用于高压环境。
　　2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为 3.5Ω，有助于减少导通损耗。
　　3. 快速开关性能：由于其优化的电容设计，能够实现快速开关，降低开关损耗。
　　4. 优异的热性能：采用 TO-220AC 封装，提供良好的散热性能。
　　5. 宽工作温度范围：能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境。
　　6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
　　这些特性使得 CDR01BX271BKUS7185 成为高压应用的理想选择。

CDR01BX271BKUS7185 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)：用于提高效率和可靠性。
　　2. DC-DC 转换器：作为主开关管，提供稳定的输出电压。
　　3. 电机驱动：控制电机的启动、停止和速度调节。
　　4. 工业自动化设备：如变频器和伺服驱动器。
　　5. 照明系统：例如 LED 驱动电路。
　　6. 充电器：包括手机、笔记本电脑和其他便携式设备的充电解决方案。
　　凭借其高电压能力和低导通电阻，该器件非常适合需要高效能量转换的应用场景。

CDR01BX271BKUS7186, FDP5800, IRF840