时间：2025/5/22 20:02:39
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CDR01BX271BKUS7185 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的高压功率 MOSFET，主要用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适合于需要高效能和高可靠性的工业及消费类电子设备。
型号：CDR01BX271BKUS7185
类型：N-Channel MOSFET
封装：TO-220AC
漏源极击穿电压(Vds)：700V
连续漏极电流(Id)：3.6A
栅极阈值电压(Vgs(th))：4V
导通电阻(Rds(on))：3.5Ω
总功耗(Ptot)：95W
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +175°C
CDR01BX271BKUS7185 是一款高性能的 N 沘道功率 MOSFET，具有以下特点：
1. 高耐压能力：漏源极击穿电压高达 700V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为 3.5Ω，有助于减少导通损耗。
3. 快速开关性能：由于其优化的电容设计，能够实现快速开关，降低开关损耗。
4. 优异的热性能：采用 TO-220AC 封装，提供良好的散热性能。
5. 宽工作温度范围：能够在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内稳定工作，适应各种恶劣环境。
6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。
这些特性使得 CDR01BX271BKUS7185 成为高压应用的理想选择。
CDR01BX271BKUS7185 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：用于提高效率和可靠性。
2. DC-DC 转换器：作为主开关管，提供稳定的输出电压。
3. 电机驱动：控制电机的启动、停止和速度调节。
4. 工业自动化设备：如变频器和伺服驱动器。
5. 照明系统：例如 LED 驱动电路。
6. 充电器：包括手机、笔记本电脑和其他便携式设备的充电解决方案。
凭借其高电压能力和低导通电阻，该器件非常适合需要高效能量转换的应用场景。
CDR01BX271BKUS7186, FDP5800, IRF840
