时间：2025/6/4 1:48:17
阅读：17
CDR01BX102BMZMAT是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的功率MOSFET芯片，该器件属于N沟道增强型MOSFET。它主要应用于高效率的开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等场景，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，可有效减少能量损耗并提高系统性能。
该型号采用了先进的半导体制造工艺，能够满足现代电子设备对高性能和高可靠性的需求。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：79nC
开关速度：非常快
封装形式：TO-247-3L
CDR01BX102BMZMAT的主要特点是其极低的导通电阻，仅为1.4毫欧姆，这使得该器件在大电流应用中表现出色，能够显著降低传导损耗。此外，其栅极电荷较低，有助于实现更快的开关速度，从而提升整体效率。
该MOSFET还具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。同时，由于其出色的电气特性和可靠性设计，适合用于需要频繁开关和高电流负载的应用场合。
另外，这款器件支持表面贴装技术，并提供多种保护功能选项，例如过流保护和短路保护，进一步增强了系统的安全性和稳定性。
CDR01BX102BMZMAT广泛应用于各类电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机控制与驱动
3. DC-DC转换器
4. 负载开关
5. 太阳能逆变器
6. 工业自动化设备
7. 汽车电子系统
凭借其卓越的性能，该芯片成为许多高功率密度应用的理想选择。
CDR01BX102BMMTMA, CDR01BX102BMTMAT
