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CDR01BP270BJWSAT 发布时间 时间:2025/6/6 15:25:22 查看 阅读:4

CDR01BP270BJWSAT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为需要高效率和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有出色的开关特性和耐热性能,适合用于各种电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换等场景。其封装形式通常为 SOT-23 封装,具备小型化和高可靠性的特点。
  该芯片广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域,能够满足对功率密度和能效有较高要求的应用需求。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):27A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  总栅极电荷(Qg):48nC
  输入电容(Ciss):3690pF
  输出电容(Coss):560pF
  反向传输电容(Crss):185pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

CDR01BP270BJWSAT 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可以有效降低功耗并提升系统效率。
  2. 高电流处理能力,支持高达 27A 的连续漏极电流,适用于大功率应用。
  3. 快速开关速度,得益于较小的总栅极电荷 (Qg),可显著减少开关损耗。
  4. 工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +175℃),能够在极端环境下保持稳定运行。
  5. 先进的封装技术确保了更高的散热性能和可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保,适合现代电子产品的要求。
  这些特性使得 CDR01BP270BJWSAT 成为高效率电源转换和功率管理的理想选择。

应用

CDR01BP270BJWSAT 可以应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC 转换器的核心功率开关。
  4. 电池保护和负载切换电路。
  5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
  6. 各种消费类电子产品中的高效功率转换方案。
  由于其高效率和低损耗的特点,该器件非常适合用于对能耗敏感的应用环境。

替代型号

CDR01BP270KJWSAT, IRFZ44N, FDP270AN

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CDR01BP270BJWSAT参数

  • 现有数量1,791现货
  • 价格1 : ¥6.60000剪切带(CT)
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR01
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容27 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率S(0.001%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.080" 长 x 0.050" 宽(2.03mm x 1.27mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"(1.40mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-