时间：2025/5/20 13:43:26
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CDR01BP181BJZSAT 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装，广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和其他功率转换应用中。
这款 MOSFET 以其低导通电阻和高效率而著称，能够显著降低功率损耗并提高系统性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：45A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷（典型值）：98nC
总电容（输入电容）：2720pF
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263
CDR01BP181BJZSAT 具有以下主要特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，从而提高整体系统效率。
2. 高雪崩能力，能够在异常条件下提供更好的耐用性。
3. 快速开关速度，适用于高频应用。
4. 符合 RoHS 标准，确保环境友好。
5. 耐热增强型封装设计，改善散热性能。
6. 广泛的工作温度范围，适合各种严苛环境下的应用。
该 MOSFET 在设计上注重优化了动态和静态性能，使其成为许多功率转换应用的理想选择。
CDR01BP181BJZSAT 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC 转换器，包括降压、升压和升降压拓扑。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统。
6. 电信设备中的高效功率转换模块。
由于其出色的电气特性和可靠性，CDR01BP181BJZSAT 成为这些应用中实现高性能和高效率的关键组件。
CDR01BP181BKTSA, FDP18N60C, IRF2807PBF
