时间：2025/6/4 1:47:17
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CDR01BP180BJZRAT是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：0.055Ω
栅极电荷：24nC
开关时间：ton=29ns, toff=17ns
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 低导通电阻设计，有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠工作。
4. 内置ESD保护，增强抗静电能力。
5. 小型封装，节省电路板空间。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的同步整流。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 逆变器和UPS系统中的功率转换。
6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
CDR01BP180BJZRAJ, CDR01BP180BJZRAL, IRF180PBF
