CDR01BP180BJZRAT是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
最大漏源电压:180V
连续漏极电流:3.6A
导通电阻:0.055Ω
栅极电荷:24nC
开关时间:ton=29ns, toff=17ns
工作结温范围:-55℃至175℃
1. 低导通电阻设计,有效降低功率损耗。
2. 高速开关性能,适合高频应用。
3. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作。
4. 内置ESD保护,增强抗静电能力。
5. 小型封装,节省电路板空间。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC-DC转换器中的同步整流。
4. 电池管理系统中的负载开关。
5. 逆变器和UPS系统中的功率转换。
6. 各类工业自动化设备中的功率控制模块。
CDR01BP180BJZRAJ, CDR01BP180BJZRAL, IRF180PBF