时间：2025/7/10 6:29:19
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CDR01BP180BJZPAT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件适用于高电压和高电流的应用场景，具有低导通电阻、快速开关特性和出色的热稳定性。其封装形式为 TO-247-3L，能够满足工业级应用对功率管理的需求。
该型号广泛用于电源转换、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率传输的领域。
最大漏源电压：180V
连续漏极电流：5.9A
栅极电荷：40nC
导通电阻：0.25Ω
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
结温：175℃
CDR01BP180BJZPAT 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力：器件支持高达 180V 的漏源电压，适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：典型导通电阻为 0.25Ω，在大电流应用场景中降低了功耗。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷 (40nC)，有助于减少开关损耗并提升效率。
4. 良好的热稳定性：最高结温可达 175℃，适用于高温工况下的稳定运行。
5. 小尺寸封装：采用 TO-247-3L 封装，便于散热和安装，同时兼容大多数 PCB 布局设计。
6. 宽工作温度范围：支持 -55℃ 至 175℃ 的温度区间，适应恶劣环境条件。
这些特性使 CDR01BP180BJZPAT 成为许多工业设备中的理想选择。
CDR01BP180BJZPAT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：
- AC/DC 和 DC/DC 转换器
- 适配器和充电器
2. 电机控制：
- 无刷直流电机 (BLDC)
- 步进电机驱动
3. 工业自动化：
- PLC 和伺服系统
- 继电器和接触器驱动
4. 照明系统：
- LED 驱动电路
- 高亮度照明应用
5. 其他领域：
- 电池管理系统 (BMS)
- 太阳能逆变器
- 电动车窗和座椅调节
凭借其卓越的性能，CDR01BP180BJZPAT 在多种高功率需求场景下表现出色。
CDR01BP180BJZPAJ, CDR01BP180BJZPAD, IRF180PBF
