时间：2025/6/19 17:05:19
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CDR01BP120BJZSAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料的 MOSFET 功率晶体管。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于高频、高效能电力转换应用。由于其出色的性能表现，CDR01BP120BJZSAT 广泛应用于太阳能逆变器、电动汽车充电设备、不间断电源 (UPS) 以及其他工业功率控制场景。
此器件采用 TO-247 封装形式，确保良好的散热性能和机械稳定性。
额定电压：1200V
额定电流：30A
导通电阻：50mΩ（典型值）
栅极电荷：100nC（最大值）
开关频率：高达 100kHz
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1. 高击穿电压：CDR01BP120BJZSAT 提供 1200V 的额定电压，能够适应高压环境下的应用需求。
2. 快速开关能力：得益于 SiC 材料的优异性能，该器件具备极低的开关损耗和更快的开关速度，从而提高系统效率并降低发热。
3. 低导通电阻：50mΩ 的典型导通电阻降低了传导损耗，进一步提升了整体效能。
4. 耐高温设计：支持 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围，适合恶劣环境下的使用。
5. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保长期稳定运行。
1. 太阳能逆变器：
在光伏系统中用于 DC-AC 转换，提升能量转换效率。
2. 电动汽车充电桩：
为 EV 充电基础设施提供高效的功率转换解决方案。
3. 不间断电源 (UPS)：
在关键任务环境中保证持续供电。
4. 电机驱动器：
用于工业自动化设备中的高速电机控制。
5. 开关电源 (SMPS)：
实现高性能 AC-DC 或 DC-DC 转换。
CDR01BP120B, CDR01BP120CJZSAT
