时间：2025/6/6 15:24:22
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CDR01BP100BKZPAT是一种高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率和高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。其主要应用于电源管理、电机驱动、逆变器、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的场景。
CDR01BP100BKZPAT以其卓越的电气性能和可靠性著称，能够在高温和高压环境下保持稳定运行。同时，它还具备较强的抗雪崩能力，能够承受短暂的过载情况而不损坏。
型号：CDR01BP100BKZPAT
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：40A
导通电阻（RDS(on)）：1.5mΩ（典型值，25°C）
栅极电荷（Qg）：80nC
输入电容（Ciss）：3500pF
总功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 强大的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统的可靠性。
4. 高温适应性，能够在极端温度条件下正常工作。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 提供卓越的热性能，支持长时间稳定运行。
7. 精确的电气参数控制，确保一致性和高质量生产。
CDR01BP100BKZPAT广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及AC-DC适配器。
2. 工业电机驱动和伺服系统。
3. 新能源领域的逆变器和光伏系统。
4. 汽车电子中的负载切换和电池管理系统（BMS）。
5. DC-DC转换器和升压/降压电路。
6. 其他需要高效功率控制的应用场景，如家用电器和消费类电子产品。
CDR01AP100BKZPAT, IRF840, STP16NF10L
