电容值：3.3μF
　　额定电压：50V
　　容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　封装尺寸：1812（4532mm）
　　介质材料：X7R
　　ESR（等效串联电阻）：低
　　绝缘电阻：1000MΩ min
　　额定纹波电流：150mA

CDMC10D50T150NP-3R3MC电容器采用X7R介质材料，确保了其在宽温度范围内的稳定性。其多层结构设计使其具有优异的高频特性，适用于需要低插入损耗和高稳定性的电路。此外，该电容器具有良好的耐湿性和机械强度，能够在恶劣环境下稳定工作。
　　该电容器还具有较低的ESR和ESL（等效串联电感），使其在高频应用中表现出色，能够有效降低电路中的噪声和纹波。此外，CDMC10D50T150NP-3R3MC的容差为±20%，适用于需要较大容差范围的应用场景。
　　在可靠性方面，CDMC10D50T150NP-3R3MC电容器符合RoHS标准，且具有优异的长期稳定性，适用于需要长时间运行的电子设备。

CDMC10D50T150NP-3R3MC广泛应用于电源管理电路、DC-DC转换器、滤波电路、去耦电路以及高频信号处理电路中。由于其优异的高频特性和低ESR，该电容器特别适合用于开关电源和高精度模拟电路中，以提高系统的稳定性和效率。
　　在通信设备中，CDMC10D50T150NP-3R3MC可用于射频（RF）电路的滤波和耦合，提供良好的信号完整性和抗干扰能力。此外，在工业控制系统、汽车电子、消费类电子产品中，该电容器也可用于电源去耦、信号处理和滤波等功能。

CDMC10D50T150NP-3R3MC的替代型号包括TDK的C3225X7R2H3R3MK0L、Murata的GRM32ER72H3R3MA-K和Kemet的C1812X7R2H3R3MC。