时间：2025/9/9 14:41:31
阅读：8
CDH3D13SHPNP-100M-ICM 是一款高性能的双极性晶体管（BJT）阵列，专为高频和低噪声应用而设计。该器件由多组PNP晶体管组成，具有优异的线性特性和低失真性能，适合用于射频（RF）放大、混频器、振荡器等高频电路。其封装形式为ICM（Integrated Circuit Module），适合高密度电路板设计，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
晶体管类型：PNP双极性晶体管阵列
最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
最大集电极电流（IC）：130mA
最大功耗（PD）：300mW
频率范围：10MHz ~ 1GHz
噪声系数（NF）：≤1.5dB
电流增益带宽积（fT）：≥100MHz
封装类型：ICM模块封装
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
CDH3D13SHPNP-100M-ICM 具有低噪声系数和高增益带宽积，使其在射频前端电路中表现出色。该器件的多个PNP晶体管在单一封装内集成，提供了良好的匹配性能和热稳定性，有助于减少电路间的差异性和提升整体系统性能。其高频特性使其适用于从低频到超高频的广泛应用。此外，该器件采用ICM封装，具有良好的散热能力和空间利用率，适合在紧凑型电子设备中使用。该晶体管阵列还具备出色的线性度，有助于降低信号失真，提高通信系统的信号质量。
在制造工艺上，CDH3D13SHPNP-100M-ICM 使用了先进的硅外延工艺，确保了器件的高频性能和稳定性。其低功耗设计和良好的热管理能力使其在高温环境下依然能够保持稳定工作，适用于航空航天、通信、测试仪器等对可靠性要求较高的领域。
CDH3D13SHPNP-100M-ICM 主要应用于高频放大器、低噪声放大器（LNA）、射频混频器、振荡器、调制解调电路以及无线通信系统中的信号处理模块。此外，该器件也适用于测试与测量设备、工业控制、医疗成像设备中的高频信号处理部分。其高集成度和优良的性能使其成为5G通信基站、卫星通信系统、雷达系统等高端电子设备中的关键组件。
CDH3D13SHPNP-100M-ICM的替代型号包括CDH3D13SHPNP-100M和CDH3D13SHNPN-100M-ICM，具体选择应根据电路需求和性能匹配进行验证。
