电容值：0.1μF（104）
　　容差：±20%
　　额定电压：50V
　　电容器类型：陶瓷电容器
　　温度系数：NP0（COG）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C
　　封装/外壳：0805（公制2012）
　　介质材料：陶瓷

CDEP104NP-1R3MC-50采用了高稳定性的NP0（COG）介质材料，确保了在宽温度范围内的电容稳定性。该电容器的容差为±20%，适用于对精度要求不是非常严格的场合。其额定电压为50V，能够承受较高的工作电压而不发生击穿。此外，这款电容器的封装尺寸为0805（公制2012），适合在空间有限的PCB设计中使用。由于陶瓷材料的优良特性，该电容器具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），适合用于高频电路。CDEP104NP-1R3MC-50还具有良好的机械强度和耐环境变化的能力，能够在恶劣环境中稳定工作。
　　CDEP104NP-1R3MC-50的另一个重要特性是其优异的频率响应特性。这使得它非常适合用于射频（RF）和高速数字电路中的去耦和滤波。此外，该电容器具有良好的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的温度范围内保持其电气性能。这种特性使其适用于广泛的电子设备，包括通信设备、计算机和工业控制系统。

CDEP104NP-1R3MC-50常用于电子设备中的去耦、滤波和旁路电路。其高稳定性和可靠性使其适用于通信设备、计算机、工业控制系统和消费电子产品。此外，它还适用于需要高频率响应的射频（RF）电路。

CDEP104NP-1R3MC-50的替代型号包括GRM188R71H104KA01D、CL21A104KBQNNNE和C0805C104K5RACTU。