CDDFN2-T3.3B是一种高性能的贴片式瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、感应雷击和其它瞬时电压尖峰的危害。该器件采用了先进的半导体工艺制造,具有低电容、低漏电流以及快速响应时间的特点,非常适合于高速数据线、信号线以及射频电路的保护。
这种型号属于CDDFN系列,具备紧凑型DFN封装,适用于空间受限的设计环境,同时保持了出色的电气性能。
额定电压:3.3V
峰值脉冲功率:400W(典型值)
反向 standoff电压:3.0V
最大反向漏电流:1μA(在25℃下,VRWM=3.0V时)
箝位电压:5.6V( IPP=8.4A时)
结电容:1.2pF(典型值)
响应时间:小于等于1ps
工作温度范围:-55℃至+150℃
CDDFN2-T3.3B的主要特点是其超低电容设计,这使得它非常适配于高频应用场合,例如USB接口、HDMI、以太网等高速数据传输线路的保护。此外,该器件还拥有以下优点:
1. 极快的响应速度确保能及时抑制瞬态电压尖峰。
2. 高度可靠的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2标准,能够承受±20kV接触放电和±30kV空气放电。
3. 紧凑的DFN封装形式,节省PCB布局空间。
4. 稳定的工作温度范围使其能够在极端环境下使用。
5. 符合RoHS环保标准,无铅设计。
CDDFN2-T3.3B广泛应用于消费类电子产品、工业设备及通信系统中,用于保护敏感的电子元器件。具体应用场景包括:
1. 手机和其他移动设备中的数据端口保护。
2. 笔记本电脑及平板电脑的USB、HDMI和DisplayPort接口防护。
3. 工业自动化设备中的传感器信号线路保护。
4. 网络交换机、路由器等通信设备的数据传输线路防护。
5. 汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线以及其他控制信号线路保护。
CDDFN2-T3.3A, CDDFN2-T3.3C, PESD5V0H1BA