时间：2025/12/26 22:15:07
阅读：9
CDBMH140-HF是一款由Central Semiconductor Corp生产的肖特基势垒二极管，采用表面贴装（SMA）封装，适用于高效率的整流和开关应用。该器件具有低正向电压降和快速开关特性，使其在高频电源转换、DC-DC变换器、逆变器以及续流和箝位电路中表现出色。CDBMH140-HF符合RoHS标准，是无铅（Pb-free）环保型元器件，适合现代绿色电子产品的需求。其结构基于硅半导体工艺，通过铂或钛等金属与n型硅形成肖特基接触，从而实现较低的导通损耗和较高的工作速度。该二极管的最大重复反向电压为40V，最大平均整流电流可达1A，在典型工作条件下正向压降低至0.35V左右，显著提高了系统能效。由于其紧凑的SMA封装，CDBMH140-HF非常适合空间受限的应用场景，并具备良好的热稳定性和机械可靠性，能够在较宽的环境温度范围内稳定运行。
型号：CDBMH140-HF
封装类型：SMA
最大重复反向电压（VRRM）：40V
最大直流阻断电压（VR）：40V
最大有效值电压（VRMS）：28V
最大平均整流电流（IO）：1A
峰值非重复浪涌电流（IFSM）：30A
正向压降（VF）：0.35V @ 1A, 0.45V @ 1A（典型/最大）
反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C, 100μA @ 100°C
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +125°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
热阻（RθJA）：约150°C/W（取决于PCB布局）
安装方式：表面贴装
CDBMH140-HF的核心优势在于其出色的电学性能和高可靠性设计。该器件采用了先进的肖特基势垒技术，使得其在正向导通状态下具有非常低的电压降，通常在1A电流下仅为0.35V左右，远低于传统PN结二极管的0.7V水平。这种低VF特性不仅减少了功率损耗，还降低了系统的发热量，有助于提升整体效率并简化散热设计。同时，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的反向恢复时间（trr），接近于零，能够有效抑制开关过程中的反向恢复电流尖峰，减少电磁干扰（EMI）并提高开关电源的工作频率上限。
此外，CDBMH140-HF具备优异的热稳定性，可在高达+125°C的结温下持续工作，适用于高温环境下的工业控制、汽车电子及便携式设备。其反向漏电流在常温下极小（仅0.1μA），即使在高温条件下（100°C时为100μA）仍保持可控范围，确保了在轻载或待机状态下的低静态功耗表现。器件采用SMA封装，外形尺寸紧凑（约4.5mm x 2.6mm x 2.3mm），便于自动化贴片生产，提升了制造效率。内部芯片与引线框架之间通过金丝键合连接，增强了长期使用的机械强度和抗热循环能力。整体结构经过优化设计，具备良好的抗湿性和耐腐蚀性，符合IEC 61249-2-21标准对卤素含量的要求，支持无铅回流焊工艺，满足现代电子产品对环保与可靠性的双重需求。
CDBMH140-HF广泛应用于各类需要高效能、小型化和高频响应的电力电子系统中。常见用途包括DC-DC转换器中的输出整流二极管，尤其是在降压（Buck）、升压（Boost）和反激式（Flyback）拓扑结构中，利用其低正向压降和快速开关特性来提升转换效率并降低温升。它也常用于AC-DC适配器、USB充电器、LED驱动电源等消费类电子产品中作为续流二极管或防反接保护元件。在太阳能光伏系统中，该器件可用于旁路二极管，防止电池板因阴影遮挡导致的热斑效应。此外，在电机驱动电路和H桥拓扑中，CDBMH140-HF可作为箝位二极管吸收感性负载产生的反电动势，保护开关管免受电压冲击。
由于其具备一定的浪涌电流承受能力（IFSM=30A），该器件也能应对瞬态过流情况，适用于存在启动冲击电流的电源模块。在通信设备、网络路由器和嵌入式控制系统中，CDBMH140-HF被用于低压差稳压器（LDO）前级或多电源切换电路中的隔离二极管，防止电流倒灌。其表面贴装形式特别适合高密度PCB布局，广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式医疗设备等对空间敏感的产品中。同时，因其符合RoHS指令且不含卤素，适用于出口型电子产品认证要求，满足全球市场准入条件。
SBM1040LT1G
RB154V40TR
B140AW-HT
