时间：2025/10/31 16:33:39
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CDBMH1150-HF是一款高性能的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用先进的半导体工艺制造，专为高效率、高频开关应用设计。该器件具有低正向压降和快速反向恢复特性，能够有效降低功率损耗并提升系统整体能效。CDBMH1150-HF广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关模式电源（SMPS）、逆变器以及各类消费类电子产品中。其封装形式通常为表面贴装型（如SMA、SMB或SMC），便于自动化生产和紧凑布局，适用于对空间和散热性能有较高要求的设计场景。此外，该产品符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代绿色电子产品的设计需求。
型号：CDBMH1150-HF
类型：肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：150V
最大平均整流电流（IO）：1.0A
峰值浪涌电流（IFSM）：30A
最大正向压降（VF）：0.92V @ 1.0A
最大反向漏电流（IR）：1.0μA @ 125°C
反向恢复时间（trr）：典型值＜5ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
热阻抗（RθJA）：约150°C/W
封装形式：SMB (DO-214AA)
安装类型：表面贴装
符合标准：RoHS compliant, Halogen-Free
CDBMH1150-HF的核心优势在于其优异的电学性能与高可靠性。该肖特基二极管采用铂或钛/镍合金形成的金属-半导体结结构，显著降低了传统PN结二极管中存在的少数载流子存储效应，从而实现了极短的反向恢复时间（trr < 5ns）。这一特性使其在高频开关电路中表现出色，可大幅减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），提高电源转换效率。同时，其低正向压降（VF = 0.92V @ 1.0A）意味着在导通状态下功耗更低，有助于减小热应力并延长系统寿命。
该器件具备良好的热稳定性和长期可靠性，在高温环境（最高结温达150°C）下仍能保持稳定的电气参数表现。其反向漏电流在高温条件下控制得当（IR ≤ 1.0μA @ 125°C），避免了因漏电增大而导致的额外功耗问题。此外，CDBMH1150-HF拥有较高的峰值浪涌电流承受能力（IFSM = 30A），可在瞬态过载或启动冲击期间提供可靠的保护，增强了系统的鲁棒性。
SMB封装提供了优良的机械强度与焊接可靠性，适合回流焊工艺，并具有较好的散热路径设计。由于其小型化尺寸，非常适合用于便携式设备、LED驱动电源、笔记本电脑适配器、通信模块等对空间敏感的应用场合。综合来看，CDBMH1150-HF是一款兼顾高效、节能与可靠性的理想选择，尤其适用于现代高密度、高频率电源拓扑结构中的整流与续流功能。
CDBMH1150-HF广泛应用于各类中低压直流电源系统中，典型用途包括：开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管、DC-DC升压/降压转换器中的续流与隔离元件、逆变器电路中的快速开关单元、电池充电管理系统中的防倒灌二极管、LED照明驱动电源中的高效整流环节，以及各类消费类电子产品如智能手机、平板电脑、路由器、机顶盒等内部电源模块。此外，也可用于工业控制设备、仪器仪表及电信设备中的电源整流与保护电路。由于其高频响应能力和低损耗特性，特别适合用于高频PWM调光、同步整流辅助、太阳能微逆变器等新兴节能技术领域。
SS16-SMD
SB1150
MBR1150
B1150A-S
CDBMS1150-HF
