晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：50V
　　最大功耗（PD）：300mW
　　直流电流增益（hFE）：110-800（根据不同等级划分）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220AB

CDBM280-G晶体管具备优异的电气性能和稳定的运行表现，适用于多种通用放大和开关应用场景。其NPN结构使其在低电压和低电流条件下具备较高的响应速度和放大能力。晶体管的高过渡频率（fT）达到100MHz，适用于高频信号放大和处理。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围较宽，从110到800，可根据具体需求选择不同的等级，以满足设计的灵活性和性能要求。此外，CDBM280-G的最大集电极电流为100mA，能够支持中等功率的开关操作，适用于驱动小型继电器、LED显示屏或其他负载设备。
　　在耐压性能方面，CDBM280-G的集电极-基极最大电压为50V，集电极-发射极电压为30V，能够适应较为严苛的电路环境，提高系统的稳定性和耐用性。其最大功耗为300mW，结合TO-220AB封装的优良散热能力，确保器件在持续运行中的可靠性。
　　TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，适用于需要较高散热能力的应用场景。该封装结构也增强了器件的机械强度，提高了其在工业环境中的耐用性。

CDBM280-G晶体管广泛应用于多种电子电路中，尤其是在需要中等功率放大的场景中。常见的应用包括音频放大器、信号处理电路、电源管理模块以及工业控制系统的开关电路。其高频特性使其适用于射频信号放大和调制电路。
　　在音频放大应用中，CDBM280-G可以作为前置放大器或驱动放大器，提供稳定的增益和低失真信号处理能力。在开关电路中，该晶体管可以用于控制小型负载，如LED、继电器或小型直流电机，实现高效的电源管理。
　　此外，CDBM280-G也常用于数字电路中的电平转换和驱动功能，适用于嵌入式系统、自动化设备和消费类电子产品中的控制电路。其高可靠性和宽温度范围使其在工业自动化、汽车电子和通信设备中也具有良好的适用性。

BC547, 2N3904, PN2222A