时间：2025/12/26 22:35:46
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CDBM230-HF是一款高性能的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用表面贴装封装技术，专为高效率、高频开关应用而设计。该器件由Comchip Technology等知名半导体制造商生产，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器、续流与极性保护电路中。CDBM230-HF具有低正向压降和快速反向恢复时间的特点，使其在降低功耗和提高系统效率方面表现出色。其封装形式通常为SMA（DO-214AC），适合自动化贴片生产流程，并具备良好的散热性能和机械稳定性。该二极管符合RoHS环保标准，且不含卤素，适用于现代绿色电子产品设计要求。CDBM230-HF特别适合用于便携式设备、通信模块、消费类电子以及工业控制设备中的整流和防倒灌电路。
该型号命名中的“CDB”代表肖特基二极管系列，“M”可能表示单个二极管结构，“230”指代其最大重复反向电压约为30V，“HF”则表明该器件为高频应用优化版本。由于其优异的电气特性和紧凑的封装尺寸，CDBM230-HF已成为许多中小功率电源系统中的首选元件之一。此外，该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，增强了系统的可靠性和使用寿命。
类型：肖特基二极管
配置：单路
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大平均正向整流电流（IF(AV)）：2A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms半正弦波）
最大正向压降（VF）：0.52V @ 1A, 25°C
最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 30V, 25°C
反向恢复时间（trr）：<5ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
封装/外壳：SMA（DO-214AC）
安装类型：表面贴装（SMD）
热阻结至环境（RθJA）：约70°C/W
极性：阴极为标记端
CDBM230-HF的核心优势在于其低正向导通压降与极快的开关响应能力。该器件的正向压降典型值仅为0.52V，在1A电流下显著低于传统PN结二极管，这意味着在相同工作条件下产生的导通损耗更小，有助于提升整体电源转换效率并减少散热需求。尤其在电池供电设备或对能效敏感的应用中，这种低损耗特性至关重要。同时，由于其基于肖特基势垒原理，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短，通常小于5ns，几乎无反向恢复电荷（Qrr），避免了因反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题，极大提升了高频开关电路的稳定性与安全性。
另一个关键特性是其2A的平均正向电流承载能力，结合SMA封装的良好热传导设计，使CDBM230-HF能够在紧凑空间内处理相对较高的功率负载。其最大重复反向电压为30V，适用于常见的12V、24V系统，如开关电源次级侧整流、同步整流替代、DC-DC升压/降压拓扑中的续流路径等。此外，器件具备较强的瞬态过载能力，可承受高达50A的非重复浪涌电流，增强了在启动或异常工况下的鲁棒性。
从可靠性角度看，CDBM230-HF的工作结温范围宽达-55°C至+125°C，支持严苛环境下的长期运行。其封装材料符合MSL-1湿度敏感等级，无需烘烤即可直接进行回流焊工艺，提高了生产良率。器件还通过了多项国际认证，包括AEC-Q101应力测试标准的部分项目（视具体厂商而定），可用于汽车电子辅助电源系统。综上所述，CDBM230-HF凭借高效、高速、高可靠性的综合表现，成为现代电力电子系统中不可或缺的基础元器件之一。
CDBM230-HF广泛应用于各类需要高效、高频整流功能的电子系统中。在DC-DC转换器中，它常被用作输出整流二极管，尤其是在非隔离型Buck、Boost及Buck-Boost拓扑中，利用其低正向压降减少能量损耗，从而提高转换效率，延长电池寿命。在AC-DC适配器和小型开关电源中，该器件可用于次级侧整流环节，替代传统快恢复二极管以降低温升和噪声水平。
在光伏逆变器和LED驱动电源中，CDBM230-HF作为续流或箝位二极管使用，有效防止电感反冲电压损坏主开关器件，同时加快能量释放过程，提升动态响应速度。在电机驱动和继电器控制电路中，该二极管用于抑制感性负载断开时产生的反电动势，起到保护晶体管或MOSFET的作用。
此外，CDBM230-HF也常见于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、无线耳机充电仓等内部的电源管理单元，承担防反接、电源切换和负载隔离等功能。在通信设备中，可用于电源轨间的OR-ing二极管，实现冗余供电自动切换。其小型化SMA封装特别适合空间受限的设计，同时满足自动化贴片生产工艺要求。工业控制系统、智能家居模块、IoT终端节点等也是其典型应用场景。得益于其高可靠性和环保合规性，该器件还可用于部分车载电子设备，如车载充电器、车身控制模块等非主驱系统中。
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"SS24",
"MBR230",
"SB230",
"SK23",
"PMBS230SP",
"SDM230"
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