类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双共阴极
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：180V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1.0A
　　峰值浪涌正向电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：0.92V @ 1.0A, 1MHz
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 180V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 < 5ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMB（DO-214AA）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

CDBB180-G的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种金属-半导体结结构相比传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降和几乎可以忽略的反向恢复电荷。在1A电流条件下，其正向压降仅为0.92V左右，这意味着在导通状态下能量损耗极低，有助于提高整个电源系统的效率，尤其是在高频开关环境下，传统快恢复二极管因反向恢复时间较长而产生较大的开关损耗，而CDBB180-G的反向恢复时间典型值小于5纳秒，极大地减少了开关过程中的瞬态功耗和电磁干扰（EMI）。这一特性使其非常适合用于开关模式电源（SMPS）、同步整流辅助电路以及电池充电管理模块中。
　　该器件的双共阴极配置允许在一个封装内集成两个独立的肖特基二极管，共享一个公共阴极端子，这种结构常用于全波整流电路或双路输出电源设计中，有效节省PCB空间并简化布局布线。SMB封装具有较小的体积（约4.3mm x 6.7mm x 2.2mm），同时具备良好的热传导能力，配合适当的PCB铜箔设计可实现有效的散热管理。CDBB180-G的最高工作结温可达150°C，表明其在高温环境下仍能保持稳定性能，适用于车载电子、工业电源等对环境适应性要求较高的场合。
　　此外，CDBB180-G通过了多项国际可靠性认证，包括高温反向偏置（HTRB）、高温存储寿命（HTSL）和温度循环测试（TCT），确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。其低漏电流特性（在180V反向电压下仅200μA）也保证了在待机或轻载状态下的低静态功耗，这对节能型电子产品尤为重要。整体而言，CDBB180-G是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管，兼顾效率、尺寸与成本，是现代中低功率电源设计的理想选择之一。

CDBB180-G广泛应用于各类需要高效整流与快速开关响应的电子系统中。在开关电源（SMPS）领域，它常被用作次级侧整流元件，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑中，作为输出整流二极管以降低导通损耗并提升转换效率。由于其高达180V的反向耐压能力，该器件适用于输入电压较高的AC-DC适配器、手机充电器、笔记本电脑电源等产品中。在DC-DC转换器中，CDBB180-G可用于续流（Freewheeling）或箝位（Clamping）功能，防止电感反电动势损坏主开关管，同时利用其快速恢复特性减少开关节点振铃现象。
　　在电池供电设备中，如便携式仪器、无人机和移动电源，CDBB180-G可作为防反接保护二极管，防止电池极性接反造成系统损坏，同时因其低正向压降而减少正常工作时的电压损失，延长续航时间。在太阳能充电控制器或小型光伏系统中，该器件可用作阻塞二极管，防止夜间或弱光条件下电池反向放电。此外，在通信设备、网络路由器和服务器电源模块中，CDBB180-G凭借其高可靠性与紧凑封装，成为多路电源轨整流方案中的常用元件。
　　工业控制领域中，PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和电机驱动电路也会使用CDBB180-G进行电压隔离与瞬态抑制。其SMB表面贴装封装便于自动化生产，适合大规模贴片焊接工艺，提升了生产效率和一致性。综上所述，CDBB180-G凭借其优良的电气性能和广泛的适用性，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

SB10180CT
　　MBR10180F
　　B1100A