CDB0230QRM 时间：2025/4/7 15:09:36 阅读：22

CDB0230QRM 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高耐压能力，能够有效提高系统的效率并减少热损耗。
　　其主要特点包括快速开关速度、出色的热性能和高可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品中的大电流应用。

参数

型号：CDB0230QRM
　　类型：N沟道功率MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
　　总功耗（Ptot）：140W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

特性

CDB0230QRM 是一款针对高功率密度应用设计的 MOSFET 芯片，其低导通电阻可以显著降低导通损耗，同时具备较高的电流承载能力，确保在大负载条件下保持高效运行。
　　此外，该芯片拥有优异的开关性能，能够在高频条件下实现更低的开关损耗。其坚固的结构设计使其能够在极端温度范围内稳定工作，非常适合需要长时间运行的设备。
　　为了进一步优化性能，CDB0230QRM功能，通过高效的散热路径减少了温升问题。这种特性使得它在高功率转换器和逆变器中表现尤为突出。

应用

1. 开关电源 (SMPS)
　　2. 电机驱动器
　　3. 工业自动化设备
　　4. 新能源汽车 (EV/HEV) 的电池管理系统
　　5. DC-DC 和 AC-DC 转换器
　　6. 电动工具和家用电器中的功率控制模块
　　由于其强大的电流处理能力和高效率，这款芯片非常适合要求苛刻的应用场景。