CDB0130QRM 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为高频率和高效率应用场景设计。该芯片集成了增强型 GaN 晶体管和驱动器,能够显著降低开关损耗并提高功率密度。其封装形式紧凑,适合用于电源适配器、快充设备、DC-DC 转换器等应用领域。
相比传统硅基器件,CDB0130QRM 提供了更高的开关速度和更低的导通电阻,从而在高频工作条件下表现出优异的性能。
型号:CDB0130QRM
类型:GaN 功率晶体管
封装:QFN 8x8mm
额定电压:650V
额定电流:30A
导通电阻:40mΩ
栅极电荷:25nC
最大工作温度:175℃
开关频率:高达 5MHz
CDB0130QRM 的主要特性包括以下几点:
1. 高效功率转换:得益于 GaN 技术,CDB0130QRM 在高频操作下具有极低的开关损耗和导通损耗,从而实现更高的整体效率。
2. 小型化设计:其紧凑的 QFN 封装使其非常适合空间受限的应用场景。
3. 快速开关能力:支持高达 5MHz 的开关频率,大幅减少磁性元件体积,提升功率密度。
4. 热性能优越:具备良好的散热能力,可承受较高温度环境,确保长时间稳定运行。
5. 内置保护功能:集成过流保护和热关断机制,提高了系统的可靠性和安全性。
CDB0130QRM 广泛应用于以下领域:
1. USB-PD 快速充电器:
作为核心功率级器件,CDB0130QRM 能够支持高效率的小型快充头设计。
2. 数据中心电源:
通过高效率和高频工作,减少系统功耗和体积。
3. 电动汽车车载充电机:
提供快速充电能力,同时减小充电模块的尺寸。
4. 工业 DC-DC 转换器:
适用于需要高效率、高功率密度的工业应用。
5. 消费类适配器:
助力轻薄便携的电源适配器开发。
CDB0130QRMF, CDB0120QRM