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CD611216B 发布时间 时间:2025/8/7 10:02:14 查看 阅读:22

CD611216B 是一款由Cypress Semiconductor(赛普拉斯半导体)生产的高性能异步静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, SRAM)。该芯片属于高速、低功耗的CMOS SRAM系列,广泛用于需要快速数据访问和高可靠性的嵌入式系统和工业控制设备中。CD611216B具有16位宽的数据总线,适用于需要高速数据缓存和临时存储的应用场景。

参数

容量:256K x 16 bit
  组织结构:256K地址,每个地址16位数据
  电源电压:3.3V(典型)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)或商业级(0°C至70°C)
  封装形式:54引脚TSOP、54引脚SOP
  访问时间:10ns、12ns、15ns等不同速度等级
  读写操作:异步读写
  输入/输出电平:兼容TTL和CMOS

特性

CD611216B 的核心特性包括高速访问能力,支持10ns的访问时间,使得它适用于对响应时间要求极高的应用。其低功耗设计在待机模式下可显著降低功耗,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
  该芯片采用CMOS技术制造,具备较高的抗干扰能力和稳定性,适合在工业环境下的复杂电磁干扰条件下运行。CD611216B的异步接口设计简化了与微处理器、微控制器和外围设备的连接,无需额外的时钟同步电路,提高了系统的灵活性和可靠性。
  此外,CD611216B 提供多种封装选项,适应不同的PCB布局需求,包括小型TSOP封装,适用于空间受限的便携式电子产品。其工业级温度版本能够在恶劣的环境条件下保持稳定工作,广泛适用于工业控制、通信设备和自动化系统。

应用

CD611216B 常用于需要高速数据缓存和临时存储的应用领域,如嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络路由器和交换机、通信基站、测试仪器以及便携式电子设备等。在这些应用中,CD611216B 可作为主处理器的高速缓存、帧缓冲器或临时数据存储器,提升系统整体的运行效率和响应速度。
  在工业控制中,CD611216B 可用于存储实时数据和程序变量,支持PLC(可编程逻辑控制器)进行快速的数据处理和状态切换。在网络设备中,该芯片常用于缓存数据包,确保高速数据传输过程中的稳定性和低延迟。在测试与测量仪器中,CD611216B 可用于高速数据采集和临时存储,以提高测量精度和处理效率。

替代型号

CY62148BLL-55ZSXC, IS61LV25616-10B4BLI, IDT71V128SA10PFG

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CD611216B参数

  • 标准包装3
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.43V @ 520A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20mA @ 1200V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)160A
  • 电压 - (Vr)(最大)1200V(1.2kV)
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型标准
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳POW-R-BLOK? 模块
  • 供应商设备封装POW-R-BLOK? 模块
  • 包装散装