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CD610816B 发布时间 时间:2025/8/7 13:01:55 查看 阅读:26

CD610816B是一款由Intersil公司生产的高性能、低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有8K x 8位的存储容量,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场合。CD610816B采用CMOS技术制造,具有较高的可靠性和稳定性,广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子等领域。该芯片采用28引脚封装,便于在各种电路设计中使用。

参数

容量:8K x 8位
  电源电压:5V ±10%
  访问时间:10ns(最大)
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装类型:28引脚SSOP
  功耗:典型值10mA(待机模式下小于10μA)
  输入/输出电平:TTL兼容
  数据保持电压:2V(最小)

特性

CD610816B采用了先进的CMOS技术,提供了高速和低功耗的双重优势。其10ns的访问时间使其适用于高速缓存和实时数据处理应用。该芯片具有TTL兼容的输入/输出电平,便于与各种逻辑电路接口。CD610816B的宽工作温度范围使其能够在恶劣的工业环境中稳定运行。此外,该芯片具有数据保持功能,在电源电压下降到2V时仍能保持数据不丢失,确保了数据的可靠性。CD610816B的28引脚SSOP封装节省了PCB空间,并提高了系统的集成度。在待机模式下,芯片的功耗极低,适合用于对功耗敏感的便携式设备。

应用

CD610816B适用于需要高速存储和低功耗的多种应用场合。例如,在工业控制系统中,它可以用作临时数据存储器或高速缓存;在通信设备中,可以用于存储临时数据包或缓冲信息;在消费电子产品中,如手持设备和智能仪表中,CD610816B的低功耗特性使其非常适合用于数据存储和临时缓存。此外,由于其宽温度范围和高可靠性,CD610816B也常用于汽车电子系统、航空航天设备以及嵌入式控制系统中。在需要高速数据处理和数据保持的应用中,CD610816B都能提供稳定的性能支持。

替代型号

IS61LV816-10B4BBLI-TR

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CD610816B参数

  • 标准包装3
  • 类别半导体模块
  • 家庭二极管,整流器
  • 系列-
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.43V @ 520A
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电20mA @ 800V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)160A
  • 电压 - (Vr)(最大)800V
  • 反向恢复时间(trr)-
  • 二极管类型标准
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 二极管配置1 对串联
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳POW-R-BLOK? 模块
  • 供应商设备封装POW-R-BLOK? 模块
  • 包装散装
  • 其它名称835-1073CD610816B-ND