电容值：1.8pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：50V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　介质材料：C0G/NP0
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.15%
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ

CD43NP-1R8MB 是一款基于C0G（NP0）介质材料的多层陶瓷电容器，具有极高的稳定性。该电容器的温度系数为C0G（NP0），这意味着其电容值在温度变化时几乎保持不变，温度稳定性可达±30ppm/°C，适用于对电容值精度要求极高的电路。此外，CD43NP-1R8MB 具有非常低的插入损耗和优异的高频特性，适合用于射频电路中的滤波、耦合和调谐。其小尺寸封装（0402）使其在高密度PCB设计中具有优势，同时保持良好的焊接可靠性和机械强度。
　　这款电容器还具有优异的抗湿性和抗老化性能，能够在恶劣的环境条件下保持长期稳定的工作性能。由于其C0G介质的特性，CD43NP-1R8MB 在电压变化时电容值的变化极小，表现出良好的直流偏置稳定性。这种特性使得它在需要高精度和高稳定性的模拟电路和高频电路中具有广泛应用。此外，CD43NP-1R8MB 还具有良好的高频响应能力，适用于从低频到超高频（UHF）范围的应用场景。

CD43NP-1R8MB 多层陶瓷电容器主要应用于需要高精度和高稳定性的电子电路中。由于其优异的温度稳定性和低损耗特性，常用于射频（RF）和微波电路中的滤波器、振荡器、放大器和天线调谐电路。此外，该电容器也广泛应用于通信设备、无线局域网（WLAN）模块、蓝牙模块、GPS接收器、射频识别（RFID）系统、精密测量仪器以及高精度模拟电路中。在消费类电子产品中，CD43NP-1R8MB 可用于高性能音频设备、高保真音响系统以及数字信号处理电路中的去耦和滤波功能。

GRM0225C1H1R8CA01D（村田）、C0201C109F5GACTU（KEMET）、CL05A180JB5NNNC（三星）、VJ0402Y1R8BA050（Vishay）