类型：肖特基势垒二极管
　　封装：SMA (DO-214AC)
　　平均正向整流电流(IF(AV))：1.5A
　　峰值重复反向电压(VRRM)：150V
　　直流阻断电压(VR)：150V
　　正向压降(VF)：典型值0.875V（在IF=1.5A时）
　　最大正向压降(VF Max)：1.0V（在IF=1.5A时）
　　非重复峰值浪涌电流(IFSM)：30A（单个半正弦波，8.3ms）
　　反向漏电流(IR)：最大200μA（在VR=150V，TA=25°C）
　　反向恢复时间(trr)：≤30ns
　　工作结温(TJ)：-65°C 至 +125°C
　　存储温度(Tstg)：-65°C 至 +150°C
　　热阻结到环境(RθJA)：约150°C/W（依PCB布局而定）
　　安装方式：表面贴装(SMD)

CD214A-T150A的核心优势在于其肖特基势垒结构所带来的低正向导通压降与超快开关响应能力。这种结构通过金属-半导体接触形成整流特性，而非传统的P-N结，因此不存在少数载流子的储存电荷问题，显著缩短了反向恢复时间（trr ≤ 30ns），有效减少了高频开关过程中的能量损耗。这一特性使其非常适合用于高频DC-DC变换器、开关模式电源（SMPS）以及续流或箝位二极管应用场景。在负载瞬变频繁或频率较高的系统中，该器件能够提升整体能效并降低温升，有助于实现更高的功率密度设计。
　　该二极管具备1.5A的平均整流电流能力，在小型SMA封装下实现了良好的电流承载性能。尽管封装体积较小，但通过优化芯片设计与引线框架材料，确保了足够的热传导路径，使得在适当PCB布线条件下可维持可靠运行。其最大反向耐压为150V，适用于中低压电源系统，例如12V、24V或48V总线架构下的整流与防反接保护。同时，较低的正向压降（典型0.875V @ 1.5A）意味着更少的导通损耗，相较于普通硅二极管可节省高达30%以上的功耗，这对电池供电设备尤为重要。
　　CD214A-T150A还具备较强的浪涌电流承受能力，非重复峰值达30A，表明其在面对输入端突然上电或短路故障引起的瞬态电流冲击时具有较好的鲁棒性。这使其不仅可用于稳态整流，也能胜任一些需要瞬态防护功能的场合。此外，器件满足JEDEC标准的湿度敏感等级（MSL-1），无需特殊干燥包装，便于长期储存和批量生产使用。所有材料均符合RoHS指令要求，不含铅、镉、六价铬等有害物质，支持绿色环保制造流程。

CD214A-T150A广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，尤其是在低压大电流输出拓扑如同步降压或异步降压转换器中作为续流二极管使用。由于其低VF和快速trr特性，它能有效减少环路中的能量损失，提高电源转换效率，尤其适用于笔记本电脑适配器、LED驱动电源和电信整流模块等对能效有严格要求的产品。
　　在DC-DC转换器中，该器件常被用于防止反向电流流动，保护主控IC免受损坏；同时在光伏系统或USB供电接口中，可用于实现电源路径管理与极性反接保护。其表面贴装封装形式也使其适用于自动化贴片生产线，广泛用于通信设备、工业控制板、消费类电子产品主板以及汽车电子辅助电源模块中。此外，由于其良好的高温工作稳定性，也可在部分车载环境下的低压电源系统中使用，例如车载充电器或信息娱乐系统的电源前端。另一个重要应用是在逆变器和电机驱动电路中作为箝位二极管，用于吸收感性负载关断时产生的反电动势，保护功率开关器件（如MOSFET或IGBT）不受过压击穿威胁。其快速响应能力和较高的浪涌电流容忍度在此类动态负载环境中表现出色。

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　　 "SB1200HE3_A/H",
　　 "1N5822",
　　 "SS14",
　　 "MBR160"
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