CCR8.0MXC8T 时间：2025/12/5 20:26:05 阅读：22

CCR8.0MXC8T是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装硅PIN二极管，专为高频和射频（RF）应用设计。该器件采用SOD-323小型化封装，具有紧凑的尺寸和优异的高频性能，适用于现代通信系统、无线设备以及便携式电子产品中的信号控制与切换功能。其结构基于PIN结技术，即在P型和N型半导体之间插入一层本征（Intrinsic）层，这种结构赋予了器件较低的结电容和可控的载流子寿命，从而在高频下表现出良好的线性度和开关特性。CCR8.0MXC8T能够在宽频率范围内稳定工作，具备较高的可靠性与热稳定性，适合自动化贴片生产工艺。该二极管常用于天线调谐、功率放大器偏置、衰减器、限幅器及其它需要快速响应和低失真的射频电路中。由于其低正向电压降和高反向击穿电压能力，在保证高效能的同时也提升了系统的整体能效。此外，SOD-323封装符合RoHS环保标准，便于集成到高密度PCB布局中，并支持回流焊工艺，满足工业级和商业级产品的制造需求。

参数

型号：CCR8.0MXC8T
　　制造商：Central Semiconductor Corp
　　封装/包装：SOD-323
　　类型：PIN二极管
　　最大反向电压（VRRM）：80V
　　平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：1A
　　正向电压（VF）：典型值1.2V @ 10mA
　　反向漏电流（IR）：最大值1μA @ 60V
　　结电容（Cj）：典型值0.8pF @ 4V, 1MHz
　　载流子寿命（τ）：典型值8ns
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　存储温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

CCR8.0MXC8T作为一款高性能PIN二极管，其核心优势在于优化的高频响应能力和稳定的电气特性。首先，该器件具有非常低的结电容（Cj），在4V反向偏压下典型值仅为0.8pF，这使其在GHz级别的射频应用中能够有效减少信号损耗和寄生效应，提升电路的整体带宽和效率。其次，其8ns的载流子寿命经过精确控制，确保在开关模式下实现快速的开启与关断响应，同时维持良好的线性度，避免对调制信号造成失真，特别适用于高数据速率的通信系统如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee以及蜂窝网络前端模块。
　　该器件的最大反向重复电压达到80V，提供了足够的安全裕量以应对瞬态电压波动，增强了系统在恶劣电磁环境下的鲁棒性。其正向导通电压在10mA测试条件下典型值为1.2V，属于较低水平，有助于降低功耗并提高能源利用效率，尤其在电池供电设备中意义重大。此外，平均整流电流可达200mA，足以支持中等功率级别的射频信号处理任务。SOD-323封装不仅体积小巧（约2.8mm x 1.6mm x 1.1mm），还具备优良的散热性能和机械强度，适合高密度表面组装，广泛应用于智能手机、平板电脑、物联网终端等空间受限的产品中。
　　CCR8.0MXC8T的工作温度范围覆盖-55℃至+150℃，表明其可在极端高低温环境下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子乃至部分军用设备中的严苛应用场景。器件符合无铅和RoHS指令要求，支持绿色环保生产流程，并兼容标准回流焊接工艺，降低了制造过程中的工艺复杂性和成本。综合来看，这款PIN二极管凭借其高频性能、小尺寸封装、高可靠性及环境适应性，成为现代射频设计中不可或缺的关键元件之一。

应用

CCR8.0MXC8T广泛应用于各类高频和射频电子系统中，典型用途包括射频开关、天线调谐模块、可变衰减器、限幅保护电路以及功率放大器的偏置网络。在移动通信设备如智能手机和平板电脑中，它被用于多频段天线的阻抗匹配与切换，以优化信号接收灵敏度和发射效率。在无线局域网（WLAN）和蓝牙模块中，该二极管可用于构建高性能的双工器或开关网络，实现不同频段之间的快速切换而不引入显著插入损耗。此外，在基站前端、卫星通信终端和RFID读写器等专业通信设备中，其低失真特性和稳定的结电容表现使其成为保障信号完整性的关键组件。汽车雷达系统、胎压监测装置和远程无钥匙进入系统（RKE）等车载无线应用也常采用此类PIN二极管进行射频路径控制。由于其具备一定的功率处理能力和环境耐受性，还可用于工业传感器、无人机遥控链路以及智能穿戴设备中的无线连接模块。总之，凡涉及高频信号调控、需兼顾小型化与高可靠性的场景，CCR8.0MXC8T均能提供有效的解决方案。