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CBW451616U601T 发布时间 时间:2025/6/5 23:46:45 查看 阅读:25

CBW451616U601T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先进的制造工艺,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等场景。该芯片具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高效率并降低功耗。
  其封装形式为 TO-252(DPAK),具备良好的散热性能,适用于需要高可靠性和稳定性的工业及消费类电子产品中。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:7nC
  开关时间:ton=13ns,toff=9ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

CBW451616U601T 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 快速的开关速度和较小的栅极电荷,可降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常情况下的耐用性。
  4. 宽温度范围支持,确保在极端环境下的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代设计中。

应用

这款功率 MOSFET 主要用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
  3. 电机驱动电路,如步进电机或无刷直流电机控制。
  4. 各种负载切换和保护电路,例如电池管理系统(BMS)。
  5. 汽车电子中的逆变器、启动电路以及其他相关模块。
  由于其卓越的电气性能和热管理能力,CBW451616U601T 成为许多高效率电力转换方案的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  FDP18N60
  STP16NF60

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