时间：2025/5/7 9:54:22
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CBW451616U151T是一种高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高效率并降低系统功耗。
此型号属于N沟道增强型场效应晶体管系列，其封装形式为TO-263（DPAK），适用于多种工业及消费类电子产品领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：29A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
总功耗：15W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装类型：TO-263
CBW451616U151T具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中表现出色，同时减少发热量。
它的快速开关能力可以支持高频操作，非常适合于现代高效开关电源设计。
此外，该器件还具备出色的热稳定性和可靠性，在恶劣环境下仍能保持良好性能。
由于采用了DPAK封装，这种芯片易于安装且散热性能优越，从而进一步增强了其整体表现。
CBW451616U151T主要应用于直流-直流转换器、开关模式电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）、电机控制模块以及负载切换电路等场景。
它也常被用作各种保护电路中的关键组件，例如过流保护和短路保护。
凭借其卓越的电气特性和机械坚固性，这款MOSFET成为了许多工程师首选的解决方案之一。
IRLZ44N
FDP5580
AON7722
