CBW322513U500T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换和开关电路。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
这款MOSFET适用于多种工业及消费电子领域,如DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等。
类型:N沟道 MOSFET
电压等级:500V
导通电阻(Rds(on)):13mΩ(典型值,在特定条件下)
连续漏极电流(Id):32A(最大值,取决于封装和工作温度)
栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
总电容(Ciss):2800pF(典型值)
开关频率:支持高达500kHz的应用
封装形式:TO-247
CBW322513U500T 具备以下显著特点:
1. 高耐压能力,额定电压达到500V,能够在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻,仅为13mΩ(典型值),有效减少导通损耗。
3. 快速开关速度,栅极电荷低至45nC,确保在高频应用中表现优异。
4. 强大的电流承载能力,支持高达32A的连续漏极电流。
5. 优化的热性能设计,能够承受较高功率密度。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色电子产品需求。
CBW322513U500T 广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业逆变器和变频器中的核心功率器件。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源设备。
6. 各类需要高效功率控制的汽车电子系统。
IRFP460,
FDP18N50,
STP32NF50,
IXYS5N50P3