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CBW322513U500T 发布时间 时间:2025/5/7 10:13:27 查看 阅读:6

CBW322513U500T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率电源转换和开关电路。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低系统能耗并提升整体性能。
  这款MOSFET适用于多种工业及消费电子领域,如DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  电压等级:500V
  导通电阻(Rds(on)):13mΩ(典型值,在特定条件下)
  连续漏极电流(Id):32A(最大值,取决于封装和工作温度)
  栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
  总电容(Ciss):2800pF(典型值)
  开关频率:支持高达500kHz的应用
  封装形式:TO-247

特性

CBW322513U500T 具备以下显著特点:
  1. 高耐压能力,额定电压达到500V,能够在高压环境下稳定运行。
  2. 极低的导通电阻,仅为13mΩ(典型值),有效减少导通损耗。
  3. 快速开关速度,栅极电荷低至45nC,确保在高频应用中表现优异。
  4. 强大的电流承载能力,支持高达32A的连续漏极电流。
  5. 优化的热性能设计,能够承受较高功率密度。
  6. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色电子产品需求。

应用

CBW322513U500T 广泛用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 工业逆变器和变频器中的核心功率器件。
  5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源设备。
  6. 各类需要高效功率控制的汽车电子系统。

替代型号

IRFP460,
  FDP18N50,
  STP32NF50,
  IXYS5N50P3

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