时间：2025/5/7 10:28:35
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CBW321609U202T是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，适用于高频、高功率密度的电力电子应用。该芯片通过优化的栅极驱动设计和低寄生参数结构，实现了更高的开关速度和更低的导通损耗。其封装形式为紧凑型表面贴装，适合在有限空间内实现高性能转换。
型号：CBW321609U202T
类型：GaN 功率开关
最大漏源电压：650V
持续漏极电流：18A
导通电阻：16mΩ
栅极电荷：70nC
开关频率范围：高达5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装：U202T
CBW321609U202T具有卓越的电气性能和热性能。
1. 超低导通电阻：仅为16mΩ，显著降低了传导损耗，提升了整体效率。
2. 高速开关能力：支持高达5MHz的开关频率，非常适合高频应用，如DC-DC转换器和无线充电设备。
3. 热管理优化：采用先进的散热设计，能够在高功率密度下保持稳定运行。
4. 小尺寸封装：U202T封装形式节省了PCB空间，同时提供了可靠的机械稳定性。
5. 安全性：内置过流保护和过温保护功能，提高了系统的可靠性。
6. 高效能量转换：由于GaN材料的独特属性，CBW321609U202T在高频条件下表现出比传统硅基MOSFET更优的性能。
这款芯片广泛应用于多种高功率密度和高频场景中：
1. 开关电源（SMPS）：包括AC-DC和DC-DC转换器，提供高效的功率转换。
2. 无线充电模块：支持快速充电功能，特别适用于消费电子产品。
3. 电机驱动：用于无人机、机器人等需要高效驱动的应用。
4. 数据中心电源：帮助实现高效率的能量传输和管理。
5. 新能源领域：例如太阳能逆变器和电动汽车充电桩中的高频转换电路。
CBW321609U150T, CBW321609U202S
