时间：2025/12/28 1:35:43
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CBW201209U750T是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装肖特基势垒二极管阵列，采用双共阴极配置，专为高频、高效率整流和开关应用设计。该器件封装在紧凑的SMA（DO-214AC）封装中，适合对空间要求严格的现代电子设备。CBW201209U750T具有低正向电压降和快速反向恢复时间，能够有效减少功耗并提高系统整体效率。该二极管阵列广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器、逆变器、续流和箝位电路等场景。其结构优化了热性能和电气性能，确保在高温或高负载环境下仍能稳定运行。此外，该器件符合RoHS指令，不含铅和有害物质，适用于环保型电子产品制造。由于其高可靠性和稳定的电气特性，CBW201209U750T常用于消费类电子、工业控制和通信设备中，作为关键的功率管理元件。
该型号命名中，CBW代表产品系列，20表示最大平均整流电流为2A，1209可能指封装或设计版本，U750表示反向重复峰值电压为75V，T通常表示 Tape & Reel 包装形式。这种命名规则有助于快速识别器件的关键参数。在PCB布局时，建议提供足够的铜箔面积以增强散热能力，尤其是在持续大电流工作条件下。同时，应避免长时间超过其最大额定值使用，以防止热击穿或寿命缩短。
类型：肖特基势垒二极管阵列
配置：双共阴极
最大平均整流电流：2A
峰值重复反向电压：75V
最大正向电压（每二极管）：0.48V @ 1A
最大反向漏电流：0.5mA @ 75V
工作结温范围：-65°C 至 +125°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：SMA (DO-214AC)
安装类型：表面贴装
峰值脉冲电流：60A
热阻结到环境：60°C/W
CBW201209U750T的核心优势在于其低正向导通压降与高开关速度的结合，使其成为高效能电源系统中的理想选择。每个二极管在1A电流下的最大正向压降仅为0.48V，显著低于传统PN结二极管，这直接减少了导通损耗，提升了能源转换效率。尤其是在低压大电流输出的DC-DC转换器中，这种低Vf特性可以大幅降低温升，从而延长系统寿命并减少散热设计复杂度。此外，肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，典型值小于10ns，远快于普通整流二极管，这使得它非常适合高频开关电源（如PWM控制器配合使用的续流二极管），可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI）。
该器件采用双共阴极结构，即两个阳极独立、阴极内部连接的设计，特别适用于双路输出或全波整流拓扑中需要共享接地路径的应用场景。例如，在同步降压变换器中，它可以作为上下管之间的续流路径，或者在多通道电源模块中实现紧凑布局。SMA封装不仅体积小巧（约4.3mm x 2.6mm x 2.1mm），还具备良好的热传导性能，通过PCB焊盘可实现有效散热。器件经过可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和恒定湿热试验，确保在恶劣环境下的长期稳定性。此外，其玻璃钝化工艺提高了表面绝缘性和抗污染能力，增强了器件在高湿度或污染环境中的耐久性。所有材料均符合无卤素和RoHS标准，支持绿色制造流程。制造商还提供了详细的SPICE模型和热仿真数据，便于工程师进行电路仿真与热设计优化。
CBW201209U750T广泛应用于各类需要高效率、小尺寸和高频率响应的电力电子系统中。在便携式消费电子产品中，如智能手机充电器、笔记本电脑适配器和USB PD电源模块，它常被用作次级侧整流元件，利用其低正向压降提升轻载和满载效率，满足能源之星或CoC Tier 2等能效标准。在通信设备中，该器件可用于隔离式DC-DC电源模块的输出整流，特别是在48V转12V或5V的中间总线转换器中表现优异。工业自动化领域中，CBW201209U750T可用于PLC电源单元、传感器供电电路和电机驱动器中的箝位保护，吸收感性负载断开时产生的反电动势，防止主开关器件损坏。
在LED照明驱动电源中，该二极管阵列可作为辅助电源的整流桥或反馈回路的一部分，确保稳定供电。新能源系统如太阳能微逆变器或储能系统的控制板也常采用此类器件进行电压检测和电平移位功能。此外，在汽车电子中，尽管其非AEC-Q101认证，但在非安全关键的车载信息娱乐系统或车内充电模块中仍有应用潜力。对于研发人员而言，该器件是评估新型拓扑结构（如LLC谐振转换器、SEPIC或Cuk变换器）的理想原型元件，因其参数一致性好且易于焊接更换。总之，凡是涉及低电压、高频率、高效率直流电源管理的场合，CBW201209U750T都能提供可靠的解决方案。
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"SB2075-TP",
"MBR2U750CT",
"SS24-SMD",
"SDM2U750",
"DSBA2-750"
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