型号：CBW201209U501T
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：肖特基势垒二极管阵列
　　配置：双二极管共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：50 V
　　最大直流反向电压（VR）：50 V
　　最大正向电流（IF）：200 mA（每条支路）
　　峰值脉冲正向电流（IFSM）：500 mA
　　最大正向压降（VF）：450 mV（在 IF = 200 mA，TA = 25°C 条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：200 μA（在 VR = 50 V，TA = 25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-65 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOT-23（TO-236AB）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：3
　　极性：共阴极
　　热阻（RθJA）：350 K/W（典型值）
　　结电容（CJ）：15 pF（典型值，f = 1 MHz）

CBW201209U501T 具备出色的电气特性和稳定性，是高性能肖特基二极管阵列中的代表性产品之一。其最显著的特点在于低正向导通压降，在典型工作条件下，当正向电流达到 200 mA 时，正向压降仅为 450 mV 左右，远低于传统硅 PN 结二极管（通常为 700 mV 以上）。这一特性极大地降低了导通损耗，提高了系统整体效率，尤其适用于电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。此外，由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具有极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计，使其非常适合用于高频整流、高速开关电源及 PWM 控制电路中。
　　该器件采用共阴极结构设计，两个独立的阳极共享一个公共阴极端子，这种配置常用于双通道整流、电压倍增器或输入保护电路中，例如在 USB 接口或传感器信号路径中实现双向过压保护。SOT-23 小型封装不仅节省 PCB 空间，还便于自动化贴片生产，提升了制造效率。尽管体积小，但其热性能经过优化，在自然对流条件下仍可有效散热，确保长期运行的可靠性。
　　CBW201209U501T 在宽温度范围内保持稳定的电气性能，可在 -55°C 至 +125°C 的结温下正常工作，适用于各种严苛环境下的工业与消费类应用。同时，其反向漏电流控制良好，在高温环境下仍能维持较低水平（不超过 200 μA），避免因漏电导致的误动作或能量浪费。器件通过 AEC-Q101 认证的可能性较高（需查具体批次），表明其具备一定的汽车级可靠性基础。另外，产品符合国际环保标准，无铅、无卤，支持绿色制造流程，适应全球市场的合规要求。

CBW201209U501T 广泛应用于多种电子系统中，尤其适合需要小型化、高效率和快速响应的电路设计。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块，用于 DC-DC 升压或降压转换器的续流二极管或防倒灌二极管。在这些应用中，低正向压降有助于延长电池续航时间，而快速开关能力则保证了转换效率和动态响应速度。
　　该器件也常用于各类开关模式电源（SMPS）中作为次级侧整流元件，特别是在低功率适配器、LED 驱动电源和隔离式电源模块中表现优异。由于其共阴极结构，CBW201209U501T 还可用于双路信号整流或逻辑电平转换电路中，例如在微控制器 I/O 引脚保护、I2C 总线钳位或传感器接口电路中防止电压反接或静电冲击。
　　在通信设备中，它可用于 RF 检波电路或信号包络检测，利用肖特基二极管的非线性特性提取调制信号。此外，在电机驱动电路中，它可以作为飞轮二极管来吸收感性负载产生的反电动势，保护驱动晶体管免受高压击穿。工业控制系统中的 PLC 模块、数据采集单元和现场仪表也会使用此类器件进行电源隔离和瞬态抑制。总而言之，CBW201209U501T 凭借其紧凑封装、优良性能和高可靠性，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

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　　 "CBT201209U501TE8215",
　　 "SWB201209U501T",
　　 "MBRB2040T1G",
　　 "SMS24A",
　　 "RB520S40"
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