CBW160808U151T是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率芯片,专为高频率、高效率应用场景设计。该芯片具有出色的开关性能和低导通电阻特性,适用于高频AC-DC转换器、无线充电设备以及各类电源管理系统。
其封装形式紧凑,适合空间受限的应用场景,同时具备卓越的热管理和电气性能,能够在高温环境下保持稳定运行。
型号:CBW160808U151T
封装:QFN 8x8mm
额定电压:650V
额定电流:15A
导通电阻:150mΩ
最大工作温度:175°C
开关频率:高达5MHz
栅极电荷:25nC
总电容:12pF
反向恢复时间:无(因GaN材料特性无反向恢复损耗)
CBW160808U151T采用了先进的氮化镓技术,与传统的硅基MOSFET相比,具有显著的优势:
1. 高开关速度:得益于GaN材料的物理特性,该芯片能够支持高达5MHz的开关频率,从而减小了磁性元件的尺寸并提升了系统效率。
2. 低导通电阻:150mΩ的导通电阻确保在高负载条件下降低功耗。
3. 零反向恢复损耗:由于GaN晶体管没有体二极管效应,因此可以完全消除反向恢复带来的额外损耗。
4. 热性能优越:该芯片经过优化设计,能够有效管理热量,在高温环境下仍能保持良好的性能稳定性。
5. 小型化封装:采用QFN 8x8mm封装,体积小巧,适合对空间要求较高的应用场合。
6. 宽广的工作范围:额定电压为650V,能够适应多种输入电压环境。
CBW160808U151T广泛应用于以下领域:
1. 高频AC-DC转换器:包括消费类适配器、数据中心电源等。
2. 无线充电模块:用于智能手机、可穿戴设备及其他无线充电产品。
3. LED驱动电源:提供高效的照明解决方案。
4. 电动汽车充电桩:实现快速充电功能。
5. 工业自动化设备:如伺服驱动器、机器人控制系统等需要高效功率管理的场景。
6. 太阳能微型逆变器:帮助提升能量转换效率。
CBW160808U150T, CBW160808U160T